Mechaninio stiprumo pranašumasPoliesterio pramoniniai verpalaikyla iš jo molekulinių grandinių krypčių išdėstymo ir optimizuoto jo kristalų struktūros konstrukcijos. Medžiaga yra orientuota į daugiapakopį tempimą lydymosi verpimo proceso metu, kad poliesterio polimeras sudarytų labai užsakomą ašinę išdėstymą, o kovalentinės jungties energijos kaupimasis žymiai pagerina tempimo stiprumą. Trumpi pluoštai, naudojami įprastuose siūluose, verpimo proceso metu yra atsitiktinis garbanojimas, o celiuliozės ar žemai orientuotų sintetinių skaidulų tarpmolekulinės jėgos yra silpnos, todėl pasiskirsto netolygus įtempių pasiskirstymas.
Polimerizacijos laipsnisPoliesterio pramoniniai verpalaiyra kontroliuojamas tam tikrame diapazone, o standi pagrindinė benzeno žiedo struktūros grandinė ir esterio grupės poliškumas veikia kartu, kad sudarytų energijos barjerą, kad būtų galima atsispirti deformacijai. Įprastiniai poliesterio arba natūralūs pluoštai, naudojami įprastuose siūluose, yra linkę į molekulinės grandinės slydimą, kai išorinės jėgos nuolat pakraunamos dėl jų plačios molekulinės masės pasiskirstymo. Paviršiaus modifikavimo apdorojimas sukuria nano masto grubią struktūrą ant poliesterio pramoninių verpalų paviršiaus, kad padidintų sąsajų ryšį tarp pluošto ir matricos medžiagos, o paprasti siūlai dažniausiai remiasi fiziniu vingiu, kad pasiektų sanglaudą.
Kalbant apie nuovargio atsparumą,Poliesterio pramoniniai verpalaiPristato elastinius energijos kaupimo mazgus molekulinės grandinės segmente, kontroliuodami iš anksto orientuotų verpalų šilumos nustatymo procesą, kuris turi geresnį ciklinės apkrovos toleranciją nei paprastų siūlų tiesinis viskoelastinis atsakas.
Kalbant apie cheminį toleranciją, esterio jungties hidrolizės greitisPoliesterio pramoniniai verpalaiRūgščių bazės aplinkoje slopina kopolimerizacijos modifikavimas, o aromatinė žiedo struktūra sudaro elektroninį skydą nuo fotooksidacinio skilimo, kurį sukelia ultravioletiniai spinduliai. Įprasti siūlai, ypač natūralūs baltymų pluoštai, turi žymiai didesnę cheminių jungčių lūžio tikimybę toje pačioje aplinkoje.
